抑制损伤因子上调保护因子针刺治疗缺血性中风机理被揭示

复旦大学上海医学院针剌原理研究所研究发现，缺血性中风早期给予针刺有一定的神经保护作用，其作用机制可能与针刺对脑缺血后损伤因子的抑制及对自身保护因子的上调有关。 研究人员利用大鼠大脑中动脉阻塞／再灌注模型，观察了脑缺血早期给予针刺对于脑缺血梗死灶的产生、脑组织内损伤因子及内源性保护因子的不同影响。结果表明，针刺可以明显降低脑缺血梗死灶，针刺治疗组缺血区及周边区细胞形态较单纯缺血组正常，周边区末端脱氧核糖核酸转移酶介导的 dUTP切口末端标记检测(TUNEL)阳性细胞率减少；针剌治疗组可以明显降低纹状体背外侧区透析液中谷氨酸的过度堆积，同时进一步增加牛磺酸在细胞外液中的含量；针刺后纹状体背外侧区一氧化氮(NO)的生成明显减少，针刺组nNOSmRNA(内神绎元型一氧化氮合酶信使RNA)在纹状体及皮层的表达下降；与单纯缺血组相比，针刺治疗组缺血周边区P5，蛋白的表达下降，而 Bcl-2／Bax的表达比例则上调；针刺后脑衍生神经生长因子(BDNF)、胶质细胞源性神经营养因子(GDNF)、碱性成纤维细胞生长因子(BFGF)的表达升高，与缺血组相比，有显著性差异。 研究人员介绍，本实验发现，在缺血期间给予1次电针，再灌24小时处死动物，电针组无论在梗塞灶面积、神经细胞存活，还是在DNA双链断裂等几项指标上均比单纯缺血组有明显改善。说明在缺血急性期给予电针既能减少坏死的发生，又能减少延迟性神经细胞死亡的发生。 研究人员介绍，脑缺血后细胞外液谷氨酸的含量迅速升高，电针可降低谷氨酸在细胞外液中的过高水平，同时电针还使牛磺酸的含量进一步升高。兴奋性氨基酸如谷氨酸含量的减少，可以减弱神经元的缺血性损伤；而抑制性氨基酸如牛磺酸胞外含量的升高，则可以看做机体内源性保护机制的启动，亦可以减弱神经元的缺血性损伤。电针对氨基酸类递质细胞外含量的双重调节效应可能与电针的抗脑缺血效应密切相关。 脑缺血初期大量增高的NO大多是神经兀性的，由内神经元型一氧化氮合酶fnNOS)催化产生的神经元性NO可加重脑的缺血性损伤。本实验通过电化学敏感微电极直接检测在皮层与纹状体部位，电针抑制了脑缺血后nNOSmRNA的过量表达，提高电针可能使缺血后NO的过量生成减少，这种抑制作用可能是电针抗脑缺血作用的又一个机制所在。 凋亡相关基因蛋白参与DNA双链断裂的过程。本实验证实电针可明显上调Bcl～ 2／Bax比例，降低P53在缺血侧皮质的表达。 Bcl-2的过量表达可以抑制凋亡，许多在体和离体实验也证实，减少P53蛋白的表达具有神经保护作用，这说明电针可能通过调节凋亡相关蛋白的表达，减少缺血性神经细胞死亡的发生。 GDNF、bFGF、BDNF等是机体内源性神经营养因子或神经生长因子，在缺血性脑损伤中具有相当重要的作用，在脑缺血引致机体一系列病理生理紊乱导致神经细胞损伤的同时，机体内的这些自我保护机制也被激发。本实验观察到，脑缺血后这些神经营养因子的表达均高于正常水平，而电针可以进一步提高它们的表达水平，提示电针的神经损伤保护效应可能部分通过调节内源性神经营养／生长因子的表达起作用。 研究人员指出，从实验结果来看，电针可能作用于诸多环节而同时减少坏死和凋亡。一方面电针可以下调脑缺血后机体的损伤机制，如减少兴奋性氨基酸的过量释放，增加摹重摄取，从而减轻ca2+超载，维持细胞内外离子稳态；下调nNOSmRNA的合成，直接降低NO生成；减少P53的表达等。另～方面电针又上调机体的自身保护机制，如诱导缺血后抑制性氨基酸 (牛磺酸)的进一步释放；增加多种神经营养因子的表达；增加抑凋亡基因Bel-2的蛋白的表达等。电针对急性期缺血的双向调整作用从一定程度上解释了中医 “扶正祛邪”的理论。

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